知名离子注入设备厂商——美国Varian Semiconductor Equipment Associates（VSEA）日前从日本尔必达获得了10台以上单晶圆式（Single Wafer）离子注入设备的订单。其中几台已经搬进了广岛尔必达工厂内新设的300mm晶圆生产线（计划于2005年12月投产）及现有的300mm生产线。剩余的几台将在几个月内导入。

　　离子注入设备通过向晶体管涂布杂质原子以形成源-漏极，目前该设备已经开始从批量（Batch）式向单晶圆式过渡。尔必达为新建的300mm生产线导入的VSEA的设备就采用了单晶圆式，注入能量为0.2～60keV，剂量为1013～5×1016/cm2。

　　VSEA的设备有如下3个特点：第一，离子束射入晶圆时，对注入角度的控制性和再现性均要比批量式设备好；第二，由于采用向具有扩散性的离子束，因此仅需使晶圆沿一个方向移动即可在整个晶圆表面完成注入。这样一来，即可防止批量式设备中存在的问题——晶圆驱动部位产生的微粒造成设备污染；第三，由于离子束的利用效率较高、晶圆的扫描速度较快，因此可以提高产量。据称，该设备仅亚洲地区的设备厂商就定购了100台以上。